Browsing by Author "Barbosa, J.R.S."
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- Metal-Oxide-Semiconductor devices for interface studies for perovskite technology [Resumo]Publication . Cunha, J.M.V.; Barreiros, M. Alexandra; Teixeira, J.P.; Curado, M.A.; Lopes, T.S.; Oliveira, K.; Oliveira, A.J.N.; Barbosa, J.R.S.; Vilanova, António; Brites, Maria João; Mascarenhas, João; Flandre, Denis; Silva, Ana G.; Fernandes, P.A.; Salomé, P.M.P.
- Perovskite Metal-Oxide-Semiconductor Structures for Interface CharacterizationPublication . Cunha, J.M.V.; Barreiros, M. Alexandra; Curado, M.A.; Lopes, T.S.; Oliveira, K.; Oliveira, A.J.N.; Barbosa, J.R.S.; Vilanova, António; Brites, Maria João; Mascarenhas, João; Flandre, Denis; Silva, Ana G.; Fernandes, P.A.; Salomé, P.M.P.ABSTRACT: Perovskite solar cells (PSCs) are one of the most promising photovoltaic technologies. Amongst several challenges, developing and optimizing efficient electron transport layers that can be up-scaled still remains a massive task. Admittance measurements on metal-oxide-semiconductor (MOS) devices allow to better understand the optoelectronic properties of the interface between perovskite and the charge carrier transport layer. This work discloses a new pathway for a fundamental characterization of the oxide/semiconductor interface in PSCs. Inverted MOS structures, that is, glass/fluorine-doped tin oxide/tin oxide (SnO2)/perovskite are fabricated and characterized allowing to perform a comparative study on the optoelectronic characteristics of the interface between the perovskite and sputtered SnO2. Admittance measurements allow to assess the interface fixed oxide charges (Q(f)) and interface traps density (D-it), which are extremely relevant parameters that define interface properties of extraction layers. It is concluded that a 30 nm thick SnO2 layer without annealing presents an additional recombination mechanism compared to the other studied layers, and a 20 nm thick SnO2 layer without annealing presents the highest positive Q(f) values. Thus, an effective method is shown for the characterization of the charge carrier transport layer/perovskite interface using the analysis performed on perovskite-based inverted MOS devices.
- O poder da nanofabricação: substratos de alta performance para células solares ultrafinas de CIGSPublication . Teixeira, J.T.; Lopes, T.S.; Oliveira, K.; Curado, M.A.; Cunha, J.M.V.; Ribeiro, R.M.; Oliveira, A.J.N.; Barbosa, J.R.S.; Violas, A.; Rocha, C.; Donzel-Gargand, O.; Vinhais, C.; Gaspar, J.; Fernandes, P.A.; Salomé, P.M.P.RESUMO: O grupo de Nanofabrication for Optoelectronic Applications -NOA- inserido no International Iberian Nanotechnology Laboratory (INL) tem focado grande parte da sua investigação e operações no desenvolvimento de substratos de alta performance, baseados em diferentes esquemas de manipulação da luz para aplicação em células solares de Cu(In,Ga)Se2 (CIGS). Estes substratos baseiam-se na inserção de uma camada dielétrica de passivação entre o contacto posterior (Mo) e a camada de CIGS. Esta abordagem permite mitigar defeitos ativos na interface posterior, bem como a absorção ótica parasítica no Mo. Neste manuscrito compara-se o desempenho de duas células solares de CIGS ultrafino: uma célula solar com arquitetura convencional e uma segunda célula solar com um substrato contendo uma camada passivadora de 18 nm de SiOx, com um esquema de contactos por nano-pontos. Todos os valores das figuras de mérito da célula solar são melhorados quando é adicionado o substrato de alta performance à arquitetura da célula solar de CIGS ultrafino.